STP3NK80Z
IC
TO-220
可供量大可议
STP3NK80Z
这款高压器件是采用 SuperMESH 技术开发的、具备齐纳保护功能的 N 沟道功率 MOSFET, SuperMESH 技术是对成熟的 PowerMESH 技术的优化。 除了显著降低导通电阻外, 该器件还针对要求最为严苛的应用场景, 确保具备高水平的 dv/dt 能力。
品牌
ST
封装
TO-220
库存
288
货期
现货
STP3NK80Z参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 288 |
STP3NK80Z概述
这款高压器件是采用 SuperMESH 技术开发的、具备齐纳保护功能的 N 沟道功率 MOSFET, SuperMESH 技术是对成熟的 PowerMESH 技术的优化。 除了显著降低导通电阻外, 该器件还针对要求最为严苛的应用场景, 确保具备高水平的 dv/dt 能力。
STP3NK80Z特性
暂无产品特性。
STP3NK80Z应用领域
暂无应用领域。
