STP3N80K5

这些非常高电压的N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh™ K5技术设计。 其结果是显著降低了导通电阻， 并实现了超低栅极电荷， 适用于需要卓越功率密度和高效率的应用。