STP3N150F
IC
TO-220F
可供量大可议
STP3N150F
特性：3A， 1500V。 低导通电阻：典型值为50Ω（VGS = 10V， ID = 1.5A）。 低栅极电荷：典型值为27.5nC。 低电容：典型值为2.4pF。 快速开关。 100%雪崩测试
品牌
Tokmas
封装
TO-220F
库存
403
货期
现货
STP3N150F参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | Tokmas(托克马斯) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 403 |
STP3N150F概述
特性：3A， 1500V。 低导通电阻：典型值为50Ω（VGS = 10V， ID = 1.5A）。 低栅极电荷：典型值为27.5nC。 低电容：典型值为2.4pF。 快速开关。 100%雪崩测试
STP3N150F特性
暂无产品特性。
STP3N150F应用领域
暂无应用领域。