STP35NF10-HXY
IC
TO-220
可供量大可议
STP35NF10-HXY
该N沟道场效应管具备33A连续漏极电流与100V漏源耐压能力, 导通电阻仅为30毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 低阻抗特性有效降低导通损耗, 提升能效表现。 适用于服务器电源、通信设备供电模块及高性能电机控制系统, 满足大电流快速开关需求, 在紧凑电路设计中实现稳定功率传输与优异热管理性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220
库存
23
货期
现货
STP35NF10-HXY参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
STP35NF10-HXY概述
该N沟道场效应管具备33A连续漏极电流与100V漏源耐压能力, 导通电阻仅为30毫欧, 栅源驱动电压支持20V。 低阻抗特性有效降低导通损耗, 提升能效表现。 适用于服务器电源、通信设备供电模块及高性能电机控制系统, 满足大电流快速开关需求, 在紧凑电路设计中实现稳定功率传输与优异热管理性能。
STP35NF10-HXY特性
暂无产品特性。
STP35NF10-HXY应用领域
暂无应用领域。
