STP28N60M2
自营可供
IC
TO-220-3
STP28N60M2
N沟道600 V、0.135 Ohm典型值、22 A MDmesh M2功率MOSFET， TO-220封装
品牌
ST
封装
TO-220-3
交期
现货
批次
—
STP28N60M2参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
| 商品型号 | STP28N60M2 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.003054 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 999 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 135mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:600V 电流:22A |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
STP28N60M2概述
这些器件是采用MDmeshTM M2技术开发的N沟道功率MOSFET。 由于其条形布局和改进的垂直结构, 这些器件具有低导通电阻和优化的开关特性, 使其适用于要求最苛刻的高效转换器。
STP28N60M2特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容(Coss)特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
STP28N60M2应用领域
- 开关应用
- LCC转换器、谐振转换器