STP26N65DM2-HXY

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）， 导通电阻低至165mΩ， 适用于高效率功率转换设计。 栅源电压范围为-10V至+25V， 具备良好的栅极控制特性与开关稳定性。 得益于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性， 器件可在高频、高温环境下可靠运行， 广泛用于高效电源模块、可再生能源逆变系统、高密度开关电源及高压直流变换装置中， 有助于提升系统整体能效与功率密度。