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STP25N60M2-EP
IC

TO-220

可供量大可议

STP25N60M2-EP

N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSFET, TO-220封装

品牌

ST

封装

TO-220

库存

23

货期

现货

STP25N60M2-EP参数

封装TO-220
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

STP25N60M2-EP概述

N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh M2 EP功率MOSFET, TO-220封装

STP25N60M2-EP特性

暂无产品特性。

STP25N60M2-EP应用领域

暂无应用领域。

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