STP25N10F7-HXY

该N沟道场效应管最大漏极电流为33A， 漏源击穿电压达100V， 导通电阻典型值为30毫欧， 栅源电压耐受范围为20V。 器件凭借低导通损耗特性， 适用于高电流密度的电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统。 其参数设计旨在优化开关效率， 满足各类电子设备对功率级元器件的严苛性能要求， 确保系统在连续负载下的稳定运行。