STP25N10F7
IC
TO-220
可供量大可议
STP25N10F7
这些器件采用专有的STripFET技术的第七代设计规则， 并配备全新的栅极结构。 由此得到的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的导通电阻（RDS(on)）。
品牌
ST
封装
TO-220
库存
58
货期
现货
STP25N10F7参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 58 |
STP25N10F7概述
这些器件采用专有的STripFET技术的第七代设计规则， 并配备全新的栅极结构。 由此得到的功率MOSFET在所有封装中均展现出最低的导通电阻（RDS(on)）。
STP25N10F7特性
暂无产品特性。
STP25N10F7应用领域
暂无应用领域。