STP24NM60N
IC
TO-220
可供量大可议
STP24NM60N
这些器件是采用第二代 MDmesh™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。 这种创新型功率 MOSFET 将垂直结构与该公司的条形布局相结合， 实现了极低的导通电阻和栅极电荷。 因此， 它适用于要求极高的高效转换器
品牌
ST
封装
TO-220
库存
24
货期
现货
STP24NM60N参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
STP24NM60N概述
这些器件是采用第二代 MDmesh™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET。 这种创新型功率 MOSFET 将垂直结构与该公司的条形布局相结合， 实现了极低的导通电阻和栅极电荷。 因此， 它适用于要求极高的高效转换器
STP24NM60N特性
暂无产品特性。
STP24NM60N应用领域
暂无应用领域。