STP22NM60N
IC
TO-220
可供量大可议
STP22NM60N
这些器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。 这种创新型功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合， 实现了全球最低的导通电阻和栅极电荷之一。 因此， 它适用于要求最为严苛的高效转换器
品牌
ST
封装
TO-220
库存
346
货期
现货
STP22NM60N参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 346 |
STP22NM60N概述
这些器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。 这种创新型功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合， 实现了全球最低的导通电阻和栅极电荷之一。 因此， 它适用于要求最为严苛的高效转换器
STP22NM60N特性
暂无产品特性。
STP22NM60N应用领域
暂无应用领域。