STP19NM50N
IC
TO-220-3
可供量大可议
STP19NM50N
是N沟道功率MOSFET， 采用第二代MDmesh技术开发。 这种创新的功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合， 可实现极低的导通电阻和栅极电荷， 适用于要求苛刻的高效转换器。
品牌
ST
封装
TO-220-3
库存
2
货期
现货
STP19NM50N参数
| 封装 | TO-220-3 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
STP19NM50N概述
是N沟道功率MOSFET， 采用第二代MDmesh技术开发。 这种创新的功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合， 可实现极低的导通电阻和栅极电荷， 适用于要求苛刻的高效转换器。
STP19NM50N特性
暂无产品特性。
STP19NM50N应用领域
暂无应用领域。