STP18NM60N
IC
TO-220
可供量大可议
STP18NM60N
这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。 这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合， 实现了极低的导通电阻和栅极电荷。 因此， 它适用于要求最为严苛的高效转换器
Brand
ST
Package
TO-220
Stock
205
货期
现货
STP18NM60NParameters
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 205 |
STP18NM60N概述
这些器件是采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。 这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与条形布局相结合， 实现了极低的导通电阻和栅极电荷。 因此， 它适用于要求最为严苛的高效转换器
STP18NM60N特性
暂无产品特性。
STP18NM60N应用领域
暂无应用领域。