STP180N10F3-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
STP180N10F3-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。 其高电流承载能力与低导通损耗特性， 使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关速度与导通性能之间的平衡， 适合在高负载条件下稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
49
货期
现货
STP180N10F3-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
STP180N10F3-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。 其高电流承载能力与低导通损耗特性， 使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件结构优化了开关速度与导通性能之间的平衡， 适合在高负载条件下稳定运行。
STP180N10F3-HXY特性
暂无产品特性。
STP180N10F3-HXY应用领域
暂无应用领域。