STP170N8F7
IC
TO-220
可供量大可议
STP170N8F7
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术， 其沟槽栅极结构经过优化， 可实现极低的导通电阻， 同时降低内部电容和栅极电荷， 从而实现更快、更高效的开关操作。
品牌
ST
封装
TO-220
库存
7
货期
现货
STP170N8F7参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
STP170N8F7概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET™ F7技术， 其沟槽栅极结构经过优化， 可实现极低的导通电阻， 同时降低内部电容和栅极电荷， 从而实现更快、更高效的开关操作。
STP170N8F7特性
暂无产品特性。
STP170N8F7应用领域
暂无应用领域。