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STP150N10F7-VB
IC

TO-220AB

可供量大可议

STP150N10F7-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单晶硅器件, 采用Trench技术, 适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。 TO220F; N—Channel沟道, 100V; 120A; RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2.5~3.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-220AB

库存

18

货期

现货

STP150N10F7-VB参数

封装TO-220AB
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存18

STP150N10F7-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单晶硅器件, 采用Trench技术, 适用于需要处理高电压和高电流的应用领域。 TO220F; N—Channel沟道, 100V; 120A; RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2.5~3.5V

STP150N10F7-VB特性

暂无产品特性。

STP150N10F7-VB应用领域

暂无应用领域。

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