STP130N10F3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流和100V的漏源击穿电压， 导通电阻为8.5毫欧， 最大栅源电压为20V。 其参数组合使其在中高功率开关应用中具备良好的导通特性和控制稳定性。 适用于电源管理、电机控制及高频开关电路等场景， 能够在保持较低导通损耗的同时， 实现高效的电能转换与精确的开关操作。