STP12NM50
IC
TO-220
可供量大可议
STP12NM50
这些N沟道功率MOSFET采用创新的MDmesh技术开发， 该技术将多漏极工艺与PowerMESH横向布局相结合。 这些器件具有极低的导通电阻、高dv/dt和出色的雪崩特性。 采用专有的条形技术， 这些功率MOSFET的整体动态性能优于市场上的同类产品
品牌
ST
封装
TO-220
库存
628
货期
现货
STP12NM50参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 628 |
STP12NM50概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的MDmesh技术开发， 该技术将多漏极工艺与PowerMESH横向布局相结合。 这些器件具有极低的导通电阻、高dv/dt和出色的雪崩特性。 采用专有的条形技术， 这些功率MOSFET的整体动态性能优于市场上的同类产品
STP12NM50特性
暂无产品特性。
STP12NM50应用领域
暂无应用领域。