STP12NK80Z
IC
TO-220
可供量大可议
STP12NK80Z
这些器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET， 通过优化成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局实现。 除了显著降低导通电阻外， 该器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
品牌
ST
封装
TO-220
库存
61
货期
现货
STP12NK80Z参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 61 |
STP12NK80Z概述
这些器件是采用 SuperMESH™ 技术开发的 N 沟道齐纳保护功率 MOSFET， 通过优化成熟的基于条形的 PowerMESH™ 布局实现。 除了显著降低导通电阻外， 该器件还旨在为最苛刻的应用确保高水平的 dv/dt 能力。
STP12NK80Z特性
暂无产品特性。
STP12NK80Z应用领域
暂无应用领域。