STP120NF10-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
STP120NF10-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、8.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其参数组合使其在中等功率应用中具有良好的导通特性和电压耐受能力。 较低的RDS(ON)有助于控制导通损耗， 适用于开关电源、电机驱动及高效能电源转换等场景， 在保障可靠运行的同时支持较高的开关频率。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
30
货期
现货
STP120NF10-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
STP120NF10-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、8.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其参数组合使其在中等功率应用中具有良好的导通特性和电压耐受能力。 较低的RDS(ON)有助于控制导通损耗， 适用于开关电源、电机驱动及高效能电源转换等场景， 在保障可靠运行的同时支持较高的开关频率。
STP120NF10-HXY特性
暂无产品特性。
STP120NF10-HXY应用领域
暂无应用领域。