STP11NK40Z
IC
TO-220
可供量大可议
STP11NK40Z
这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET， 采用SuperMESH技术开发， 是成熟的PowerMESH技术的优化。 除了显著降低导通电阻外， 这些器件还旨在确保在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
品牌
ST
封装
TO-220
库存
6
货期
现货
STP11NK40Z参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
STP11NK40Z概述
这些高压器件是齐纳保护的N沟道功率MOSFET， 采用SuperMESH技术开发， 是成熟的PowerMESH技术的优化。 除了显著降低导通电阻外， 这些器件还旨在确保在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
STP11NK40Z特性
暂无产品特性。
STP11NK40Z应用领域
暂无应用领域。