STP10NK80Z
IC
TO-220
可供量大可议
STP10NK80Z
这些器件是N沟道齐纳保护功率MOSFET， 采用意法半导体的SuperMESH™技术开发， 通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESH™布局实现。 除了显著降低导通电阻外， 该器件还设计用于确保在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
品牌
ST
封装
TO-220
库存
51
货期
现货
STP10NK80Z参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 51 |
STP10NK80Z概述
这些器件是N沟道齐纳保护功率MOSFET， 采用意法半导体的SuperMESH™技术开发， 通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESH™布局实现。 除了显著降低导通电阻外， 该器件还设计用于确保在最苛刻的应用中具有高水平的dv/dt能力。
STP10NK80Z特性
暂无产品特性。
STP10NK80Z应用领域
暂无应用领域。