STP100N8F6
IC
TO-220
可供量大可议
STP100N8F6
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。 由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的导通电阻（RDS(on)）。
品牌
ST
封装
TO-220
库存
54
货期
现货
STP100N8F6参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 54 |
STP100N8F6概述
该器件是一款采用具有新型沟槽栅极结构的STripFET™ F6技术开发的N沟道功率MOSFET。 由此产生的功率MOSFET在所有封装中均呈现出极低的导通电阻（RDS(on)）。
STP100N8F6特性
暂无产品特性。
STP100N8F6应用领域
暂无应用领域。