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STO67N60M6
IC

TO-LL

可供量大可议

STO67N60M6

采用 TO-LL 封装的 N 沟道 600 V、48 mOhm(典型值)、34 A MDmesh M6 功率 MOSFET

品牌

ST

封装

TO-LL

库存

3

货期

现货

STO67N60M6参数

封装TO-LL
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存3

STO67N60M6概述

采用 TO-LL 封装的 N 沟道 600 V、48 mOhm(典型值)、34 A MDmesh M6 功率 MOSFET

STO67N60M6特性

暂无产品特性。

STO67N60M6应用领域

暂无应用领域。

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