STO67N60DM6
IC
TO-LL
可供量大可议
STO67N60DM6
采用 TO-LL 封装的 N 沟道 600 V、48 mOhm（典型值）、58 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
品牌
ST
封装
TO-LL
库存
6
货期
现货
STO67N60DM6参数
| 封装 | TO-LL |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
STO67N60DM6概述
采用 TO-LL 封装的 N 沟道 600 V、48 mOhm（典型值）、58 A MDmesh DM6 功率 MOSFET
STO67N60DM6特性
暂无产品特性。
STO67N60DM6应用领域
暂无应用领域。