STN4392S8RG-VB
IC
SO-8
可供量大可议
STN4392S8RG-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 设计用于低功率控制和驱动应用。 采用Trench工艺， 适用于低功率控制和驱动应用， 包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。 SOP8； N—Channel沟道, 30V； 13A； RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
50
货期
现货
STN4392S8RG-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
STN4392S8RG-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应晶体管， 设计用于低功率控制和驱动应用。 采用Trench工艺， 适用于低功率控制和驱动应用， 包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。 SOP8； N—Channel沟道, 30V； 13A； RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V, VGS=±20V； Vth=1~3V
STN4392S8RG-VB特性
暂无产品特性。
STN4392S8RG-VB应用领域
暂无应用领域。