STN4102-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
STN4102-HXY
STN4102 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装形式, 专为处理大电流应用而设计。 器件具备30V的最大漏源电压(VDSS), 可稳定承载高达20A的连续漏极电流, 体现卓越的电力传输能力。 其核心亮点在于仅15mΩ的低导通电阻(RD(on)), 确保了系统在高功率运行下的高效能与低损耗。 广泛应用于电源转换、大电流开关电路及电机驱动等领域, 是追求高性能、高效率的理想半导体器件。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
60
货期
现货
STN4102-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
STN4102-HXY概述
STN4102 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装形式, 专为处理大电流应用而设计。 器件具备30V的最大漏源电压(VDSS), 可稳定承载高达20A的连续漏极电流, 体现卓越的电力传输能力。 其核心亮点在于仅15mΩ的低导通电阻(RD(on)), 确保了系统在高功率运行下的高效能与低损耗。 广泛应用于电源转换、大电流开关电路及电机驱动等领域, 是追求高性能、高效率的理想半导体器件。
STN4102-HXY特性
暂无产品特性。
STN4102-HXY应用领域
暂无应用领域。
