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STN4102-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

STN4102-HXY

STN4102 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装形式, 专为处理大电流应用而设计。 器件具备30V的最大漏源电压(VDSS), 可稳定承载高达20A的连续漏极电流, 体现卓越的电力传输能力。 其核心亮点在于仅15mΩ的低导通电阻(RD(on)), 确保了系统在高功率运行下的高效能与低损耗。 广泛应用于电源转换、大电流开关电路及电机驱动等领域, 是追求高性能、高效率的理想半导体器件。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

60

货期

现货

STN4102-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存60

STN4102-HXY概述

STN4102 是一款高性能N沟道MOSFET, 采用TO-252-2L封装形式, 专为处理大电流应用而设计。 器件具备30V的最大漏源电压(VDSS), 可稳定承载高达20A的连续漏极电流, 体现卓越的电力传输能力。 其核心亮点在于仅15mΩ的低导通电阻(RD(on)), 确保了系统在高功率运行下的高效能与低损耗。 广泛应用于电源转换、大电流开关电路及电机驱动等领域, 是追求高性能、高效率的理想半导体器件。

STN4102-HXY特性

暂无产品特性。

STN4102-HXY应用领域

暂无应用领域。

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