STN3NF06L
自营可供
IC
SOT-223
STN3NF06L
场效应管(MOSFET) 3.3W 60V 4A 1个N沟道
品牌
ST
封装
SOT-223
交期
现货
批次
两年内
STN3NF06L参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 530pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
| 商品名称 | 耐压:60V 电流:4A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | STN3NF06L |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00023236 |
STN3NF06L概述
场效应管(MOSFET) 3.3W 60V 4A 1个N沟道
STN3NF06L特性
- 60V、4A, VGS = 10V 时, RDS(ON) = 85 mΩ
- VGS = 4.5V 时, RDS(ON) = 100 mΩ
- 采用高密单元设计, 实现极低的 RDS(ON)
- 坚固可靠
- 获得无铅产品认证
- SOT
- 223 封装
STN3NF06L应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换