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STN3NF06L
IC

SOT-223

可供量大可议

STN3NF06L

场效应管(MOSFET) 3.3W 60V 4A 1个N沟道

品牌

ST

封装

SOT-223

库存

12,003

货期

现货

STN3NF06L参数

封装SOT-223
品牌ST(意法半导体)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))120mΩ@5V
阈值电压(Vgs(th))2.8V
输入电容(Ciss)340pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)63pF
分类场效应管(MOSFET)
库存12,003
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)3.3W
栅极电荷量(Qg)9nC@5V
反向传输电容(Crss)30pF
类型N沟道

STN3NF06L概述

场效应管(MOSFET) 3.3W 60V 4A 1个N沟道

STN3NF06L特性

暂无产品特性。

STN3NF06L应用领域

暂无应用领域。

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