STN3NF06

这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。 由此制成的晶体管具有极高的封装密度， 可实现低导通电阻、出色的雪崩特性， 且对准步骤要求较低， 因此具备卓越的制造可重复性。