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STN1NK60ZL
IC

SOT-223

可供量大可议

STN1NK60ZL

这些器件是采用意法半导体(STMicroelectronics)的SuperMESH™技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET, 该技术通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESH™布局实现。 除了显著降低导通电阻外, 这款器件还旨在确保在要求最苛刻的应用中具备高水平的dv/dt能力。

品牌

ST

封装

SOT-223

库存

108

货期

现货

STN1NK60ZL参数

封装SOT-223
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存108

STN1NK60ZL概述

这些器件是采用意法半导体(STMicroelectronics)的SuperMESH™技术开发的N沟道齐纳保护功率MOSFET, 该技术通过优化意法半导体成熟的基于条形的PowerMESH™布局实现。 除了显著降低导通电阻外, 这款器件还旨在确保在要求最苛刻的应用中具备高水平的dv/dt能力。

STN1NK60ZL特性

暂无产品特性。

STN1NK60ZL应用领域

暂无应用领域。

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