STN1HNK60
IC
SOT-223
可供量大可议
STN1HNK60
场效应管(MOSFET) 3.3W 600V 400mA 1个N沟道
品牌
ST
封装
SOT-223
库存
13,584
货期
现货
STN1HNK60参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 批次 | 24+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V |
| 输入电容(Ciss) | 156pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 23.5pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13,584 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF |
| 类型 | N沟道 |
STN1HNK60概述
场效应管(MOSFET) 3.3W 600V 400mA 1个N沟道
STN1HNK60特性
暂无产品特性。
STN1HNK60应用领域
暂无应用领域。