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STN101050BL90-HXY
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

STN101050BL90-HXY

此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备3A的峰值脉冲电流IPP, 能有效抵御瞬时过电压事件。 其反向工作电压VRWM为5V, 适用于需要在低电压环境下保持稳定的电路。 器件的电容CJ仅为0.6皮法(pF), 确保在高频应用中对信号完整性影响极小, 非常适合用于保护高速数据接口免受静电放电和其他瞬态电压的损害。 作为单通道Bi双向保护元件, 它提供对称的双向保护特性, 可在线路中灵活部署, 保障电子设备的安全性和可靠性。 该产品是集成到各种消费电子产品中, 以增强其防护能力的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

500

货期

现货

STN101050BL90-HXY参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存500

STN101050BL90-HXY概述

此款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备3A的峰值脉冲电流IPP, 能有效抵御瞬时过电压事件。 其反向工作电压VRWM为5V, 适用于需要在低电压环境下保持稳定的电路。 器件的电容CJ仅为0.6皮法(pF), 确保在高频应用中对信号完整性影响极小, 非常适合用于保护高速数据接口免受静电放电和其他瞬态电压的损害。 作为单通道Bi双向保护元件, 它提供对称的双向保护特性, 可在线路中灵活部署, 保障电子设备的安全性和可靠性。 该产品是集成到各种消费电子产品中, 以增强其防护能力的理想选择。

STN101050BL90-HXY特性

暂无产品特性。

STN101050BL90-HXY应用领域

暂无应用领域。

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