TFBGA-257
STM32MP157CAD3
特性:32位双核Arm Cortex-A7, 每个核心L1为32KB指令缓存/32KB数据缓存, 256KB统一二级缓存, 具备Arm NEON和Arm TrustZone, 32位Arm Cortex-M4带FPU/MPU, 最高209MHz(最高703 CoreMark)。 外部DDR内存最高1GB, 支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32位、DDR3/DDR3L-1066 16/32位; 708KB内部SRAM, 包括256KB AXI SYSRAM、384KB AHB SRAM、备份域64KB AHB SRAM和备份域4KB SRAM; 双模式Quad-SPI内存接口, 灵活的外部内存控制器, 最高16位数据总线, 可连接外部IC和SLC NAND内存, 最高8位ECC。 安全启动, TrustZone外设, 主动篡改检测, Cortex-M4资源隔离。
品牌
ST
封装
TFBGA-257
库存
5
货期
现货
STM32MP157CAD3参数
| 封装 | TFBGA-257 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
STM32MP157CAD3概述
特性:32位双核Arm Cortex-A7, 每个核心L1为32KB指令缓存/32KB数据缓存, 256KB统一二级缓存, 具备Arm NEON和Arm TrustZone, 32位Arm Cortex-M4带FPU/MPU, 最高209MHz(最高703 CoreMark)。 外部DDR内存最高1GB, 支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32位、DDR3/DDR3L-1066 16/32位; 708KB内部SRAM, 包括256KB AXI SYSRAM、384KB AHB SRAM、备份域64KB AHB SRAM和备份域4KB SRAM; 双模式Quad-SPI内存接口, 灵活的外部内存控制器, 最高16位数据总线, 可连接外部IC和SLC NAND内存, 最高8位ECC。 安全启动, TrustZone外设, 主动篡改检测, Cortex-M4资源隔离。
STM32MP157CAD3特性
暂无产品特性。
STM32MP157CAD3应用领域
暂无应用领域。
