TFBGA-361
STM32MP151CAC3
特性:32 位 Arm Cortex-A7, L1 32 Kbyte I / 32 Kbyte D, 256 Kbyte 统一二级缓存, Arm NEON 和 Arm TrustZone。 32 位 Arm Cortex-M4 带 FPU/MPU, 最高 209 MHz(最高 703 CoreMark)。 外部 DDR 内存最高 1 Gbyte, 支持 LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32 位、DDR3/DDR3L-1066 16/32 位。 708 Kbytes 内部 SRAM:256 Kbytes AXI SYSRAM + 384 Kbytes AHB SRAM + 64 Kbytes 备份域 AHB SRAM 和 4 Kbytes 备份域 SRAM。 双模式 Quad-SPI 内存接口。 灵活的外部内存控制器, 最高 16 位数据总线, 可连接外部 IC 和 SLC NAND 内存, 最高 8 位 ECC。 安全启动, TrustZone 外设, 主动防篡改, Cortex-M4 资源隔离。 1.71 V 至 3.6 V I/O 电源(5 V 耐受 I/O)
品牌
ST
封装
TFBGA-361
库存
26
货期
现货
STM32MP151CAC3参数
| 封装 | TFBGA-361 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 26 |
STM32MP151CAC3概述
特性:32 位 Arm Cortex-A7, L1 32 Kbyte I / 32 Kbyte D, 256 Kbyte 统一二级缓存, Arm NEON 和 Arm TrustZone。 32 位 Arm Cortex-M4 带 FPU/MPU, 最高 209 MHz(最高 703 CoreMark)。 外部 DDR 内存最高 1 Gbyte, 支持 LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32 位、DDR3/DDR3L-1066 16/32 位。 708 Kbytes 内部 SRAM:256 Kbytes AXI SYSRAM + 384 Kbytes AHB SRAM + 64 Kbytes 备份域 AHB SRAM 和 4 Kbytes 备份域 SRAM。 双模式 Quad-SPI 内存接口。 灵活的外部内存控制器, 最高 16 位数据总线, 可连接外部 IC 和 SLC NAND 内存, 最高 8 位 ECC。 安全启动, TrustZone 外设, 主动防篡改, Cortex-M4 资源隔离。 1.71 V 至 3.6 V I/O 电源(5 V 耐受 I/O)
STM32MP151CAC3特性
暂无产品特性。
STM32MP151CAC3应用领域
暂无应用领域。
