LFBGA-289(14x14)
STM32MP135FAE7
特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-A7内核, L1为32K字节指令缓存/32K字节数据缓存, 128K字节统一二级缓存, 具备Arm NEON和Arm TrustZone。 外部DDR内存高达1GB, 支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16位、DDR3/DDR3L-1066 16位; 168K字节内部SRAM, 包括128K字节AXI SYSRAM、32K字节AHB SRAM和8K字节备份域SRAM; 双Quad-SPI内存接口; 灵活的外部内存控制器, 数据总线高达16位, 可连接外部IC和SLC NAND内存, 具备高达8位ECC。 安全启动, TrustZone外设, 12个防篡改引脚(包括5个主动防篡改引脚), 具备温度、电压、频率和32kHz监控功能。 I/O电源为1.71V至3.6V(5V耐压I/O), 具备POR、PDR、PVD和BOR, 片上LDO(USB 1.8V、1.1V), 备份稳压器(约0.9V), 内部温度传感器, 低功耗模式包括睡眠、停止、LPLV-停止、LPLV-停止2和待机模式, 待机模式下DDR保留, 可控制PMIC配套芯片。 内部振荡器包括64MHz HSI振荡器、4MHz CSI振荡器、32kHz LSI振荡器; 外部振荡器包括8-48MHz HSE振荡器、32.768kHz LSE振荡器; 4个带分数模式的PLL。 多达135个具备中断能力的安全I/O端口, 多达6个唤醒功能。 2个总线矩阵, 64位Arm AMBA AXI互连, 最高266MHz; 32位Arm AMBA AHB互连, 最高209MHz
品牌
ST
封装
LFBGA-289(14x14)
库存
10
货期
现货
STM32MP135FAE7参数
| 封装 | LFBGA-289(14x14) |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
STM32MP135FAE7概述
特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-A7内核, L1为32K字节指令缓存/32K字节数据缓存, 128K字节统一二级缓存, 具备Arm NEON和Arm TrustZone。 外部DDR内存高达1GB, 支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16位、DDR3/DDR3L-1066 16位; 168K字节内部SRAM, 包括128K字节AXI SYSRAM、32K字节AHB SRAM和8K字节备份域SRAM; 双Quad-SPI内存接口; 灵活的外部内存控制器, 数据总线高达16位, 可连接外部IC和SLC NAND内存, 具备高达8位ECC。 安全启动, TrustZone外设, 12个防篡改引脚(包括5个主动防篡改引脚), 具备温度、电压、频率和32kHz监控功能。 I/O电源为1.71V至3.6V(5V耐压I/O), 具备POR、PDR、PVD和BOR, 片上LDO(USB 1.8V、1.1V), 备份稳压器(约0.9V), 内部温度传感器, 低功耗模式包括睡眠、停止、LPLV-停止、LPLV-停止2和待机模式, 待机模式下DDR保留, 可控制PMIC配套芯片。 内部振荡器包括64MHz HSI振荡器、4MHz CSI振荡器、32kHz LSI振荡器; 外部振荡器包括8-48MHz HSE振荡器、32.768kHz LSE振荡器; 4个带分数模式的PLL。 多达135个具备中断能力的安全I/O端口, 多达6个唤醒功能。 2个总线矩阵, 64位Arm AMBA AXI互连, 最高266MHz; 32位Arm AMBA AHB互连, 最高209MHz
STM32MP135FAE7特性
暂无产品特性。
STM32MP135FAE7应用领域
暂无应用领域。
