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STM32H757XIH6
IC

TFBGA-265

可供量大可议

STM32H757XIH6

特性:双核:32位Arm Cortex-M7内核, 具有双精度FPU和16KB数据、16KB指令L1缓存; 频率高达480MHz, 有MPU, 1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1), 支持DSP指令。 32位Arm Cortex-M4内核, 具有FPU, 自适应实时加速器(ART Accelerator)用于内部闪存和外部存储器, 频率高达240MHz, 有MPU, 300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1), 支持DSP指令。 存储器:2MB闪存, 支持边读边写。 1MB RAM:192KB TCM RAM(含64KB ITCM RAM + 128KB DTCM RAM用于时间关键程序), 864KB用户SRAM, 4KB备份域SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口, 运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器, 高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存, 同步模式下时钟高达125MHz。 CRC计算单元。 安全:ROP、PC-ROP、主动篡改、安全固件升级支持、安全访问模式

品牌

ST

封装

TFBGA-265

库存

883

货期

现货

STM32H757XIH6参数

封装TFBGA-265
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类单片机(MCU/MPU/SOC)
库存883

STM32H757XIH6概述

特性:双核:32位Arm Cortex-M7内核, 具有双精度FPU和16KB数据、16KB指令L1缓存; 频率高达480MHz, 有MPU, 1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1), 支持DSP指令。 32位Arm Cortex-M4内核, 具有FPU, 自适应实时加速器(ART Accelerator)用于内部闪存和外部存储器, 频率高达240MHz, 有MPU, 300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1), 支持DSP指令。 存储器:2MB闪存, 支持边读边写。 1MB RAM:192KB TCM RAM(含64KB ITCM RAM + 128KB DTCM RAM用于时间关键程序), 864KB用户SRAM, 4KB备份域SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口, 运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器, 高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存, 同步模式下时钟高达125MHz。 CRC计算单元。 安全:ROP、PC-ROP、主动篡改、安全固件升级支持、安全访问模式

STM32H757XIH6特性

暂无产品特性。

STM32H757XIH6应用领域

暂无应用领域。

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