STM32H747XIH6

特性：包含先进的专利技术。 双核：32位Arm Cortex-M7内核， 具有双精度FPU和L1缓存（16KB数据缓存和16KB指令缓存）， 频率高达480MHz， 具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令； 32位Arm Cortex-M4内核， 具有FPU、自适应实时加速器（ART Accelerator）， 频率高达240MHz， 具备MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS /MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 内存：高达2MB的闪存， 支持读写同时进行； 1MB的RAM， 包括192KB的TCM RAM（含64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序）、864KB的用户SRAM和4KB备份域的SRAM； 双模式Quad-SPI内存接口， 运行频率高达133MHz； 灵活的外部内存控制器， 具有高达32位的数据总线， 支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存， 同步模式下时钟频率高达125MHz； 具备CRC计算单元。 安全：ROP、PC-ROP、主动防篡改。 通用输入/输出：多达168个具有中断功能的I/O端口。 复位和电源管理：3个独立的电源域， 可独立进行时钟门控或关闭； 1.62至3.6V的应用电源和I/O； POR、PDR、PVD和BOR； 专用USB电源， 内置3.3V内部稳压器为内部PHY供电； 嵌入式稳压器（LDO）为数字电路供电； 高效SMPS降压转换器稳压器， 可直接为VCORE和/或外部电路供电； 运行和停止模式下的电压缩放（6个可配置范围）； 备份稳压器（约0.9V）； 模拟外设的电压参考/VREF+； 1.2至3.6V的电池供电； 低功耗模式：睡眠、停止、待机和支持电池充电的VBAT模式。 低功耗：VBAT电池工作模式， 具备充电能力； CPU和域电源状态监控引脚； 待机模式下2.95μA（备份SRAM关闭， RTC/LSE开启）。 时钟管理：内部振荡器：64MHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、32kHz LSI； 外部振荡器：4-48MHz HSE、32.768kHz LSE； 3个PLL（1个用于系统时钟， 2个用于内核时钟）， 具备分数模式