TFBGA-100
STM32H742VGH6
特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7内核， 带双精度浮点单元和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存； 频率高达480MHz， 具备MPU， 1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）， 支持DSP指令。 高达2MB的闪存， 支持边读边写。 高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序）， 高达864KB的用户SRAM， 以及备份域中的4KB SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口， 运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器， 高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存， 同步模式下时钟频率高达100MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动防篡改
品牌
ST
封装
TFBGA-100
库存
2
货期
现货
STM32H742VGH6参数
| 封装 | TFBGA-100 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
STM32H742VGH6概述
特性：包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-M7内核， 带双精度浮点单元和L1缓存：16KB数据缓存和16KB指令缓存； 频率高达480MHz， 具备MPU， 1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）， 支持DSP指令。 高达2MB的闪存， 支持边读边写。 高达1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序）， 高达864KB的用户SRAM， 以及备份域中的4KB SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口， 运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器， 高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存， 同步模式下时钟频率高达100MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动防篡改
STM32H742VGH6特性
暂无产品特性。
STM32H742VGH6应用领域
暂无应用领域。