TFBGA-216
STM32F765NGH6
特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 内核:采用32位Arm Cortex-M7 CPU, 配备DPFPU、ART加速器和L1缓存, 16KB的I/D缓存, 可实现从嵌入式闪存和外部存储器的零等待状态执行, 最高频率达216 MHz, 具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达2MB的闪存, 分为两个存储体, 支持边读边写。 SRAM:512KB(包括128KB用于关键实时数据的数据TCM RAM)+ 16KB指令TCM RAM(用于关键实时程序)+ 4KB备份SRAM。 灵活的外部存储器控制器, 具备高达32位的数据总线, 支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。 Chrom-ART加速器(DMA2D), 图形硬件加速器, 可增强图形用户界面。 硬件JPEG编解码器。 LCD-TFT控制器, 支持高达XGA分辨率
品牌
ST
封装
TFBGA-216
库存
3
货期
现货
STM32F765NGH6参数
| 封装 | TFBGA-216 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
STM32F765NGH6概述
特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 内核:采用32位Arm Cortex-M7 CPU, 配备DPFPU、ART加速器和L1缓存, 16KB的I/D缓存, 可实现从嵌入式闪存和外部存储器的零等待状态执行, 最高频率达216 MHz, 具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达2MB的闪存, 分为两个存储体, 支持边读边写。 SRAM:512KB(包括128KB用于关键实时数据的数据TCM RAM)+ 16KB指令TCM RAM(用于关键实时程序)+ 4KB备份SRAM。 灵活的外部存储器控制器, 具备高达32位的数据总线, 支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。 Chrom-ART加速器(DMA2D), 图形硬件加速器, 可增强图形用户界面。 硬件JPEG编解码器。 LCD-TFT控制器, 支持高达XGA分辨率
STM32F765NGH6特性
暂无产品特性。
STM32F765NGH6应用领域
暂无应用领域。
