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STM32F730V8T6
IC

LQFP-100(14x14)

可供量大可议

STM32F730V8T6

特性:核心:带有浮点单元(FPU)、自适应实时加速器(ART Accelerator)和L1缓存的32位Arm Cortex-M7 CPU, 8KB数据缓存和8KB指令缓存, 允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行, 频率高达216MHz, 具备内存保护单元(MPU), 462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 64KB闪存, 带有保护机制(读写保护、专有代码读取保护)。 528字节一次性可编程(OTP)内存。 SRAM:256KB(包括64KB用于关键实时数据的数据紧耦合内存(TCM)RAM)+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM(在最低功耗模式下可用)。 灵活的外部存储器控制器, 具有高达32位数据总线, 支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND存储器。 双模式Quad-SPI。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。 上电复位(POR)、掉电复位(PDR)、电源电压检测器(PVD)和欠压复位(BOR)

品牌

ST

封装

LQFP-100(14x14)

库存

5

货期

现货

STM32F730V8T6参数

封装LQFP-100(14x14)
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类单片机(MCU/MPU/SOC)
库存5

STM32F730V8T6概述

特性:核心:带有浮点单元(FPU)、自适应实时加速器(ART Accelerator)和L1缓存的32位Arm Cortex-M7 CPU, 8KB数据缓存和8KB指令缓存, 允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行, 频率高达216MHz, 具备内存保护单元(MPU), 462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 64KB闪存, 带有保护机制(读写保护、专有代码读取保护)。 528字节一次性可编程(OTP)内存。 SRAM:256KB(包括64KB用于关键实时数据的数据紧耦合内存(TCM)RAM)+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM(在最低功耗模式下可用)。 灵活的外部存储器控制器, 具有高达32位数据总线, 支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND存储器。 双模式Quad-SPI。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。 上电复位(POR)、掉电复位(PDR)、电源电压检测器(PVD)和欠压复位(BOR)

STM32F730V8T6特性

暂无产品特性。

STM32F730V8T6应用领域

暂无应用领域。

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