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STM32F730R8T6
IC

LQFP-64(10x10)

可供量大可议

STM32F730R8T6

特性:核心:带有浮点单元(FPU)、自适应实时加速器(ART Accelerator™)和L1缓存的32位Arm® Cortex®-M7 CPU, 8KB数据缓存和8KB指令缓存, 允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行, 频率高达216MHz, 具备内存保护单元(MPU), 462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 64KB闪存, 具备保护机制(读写保护、专有代码读出保护(PCROP))。 528字节一次性可编程(OTP)内存。 SRAM:256KB(包括64KB用于关键实时数据的数据紧耦合内存(TCM)RAM)+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM(在最低功耗模式下可用)。 灵活的外部内存控制器, 具有高达32位数据总线, 支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND内存。 双模式四路串行外设接口(Quad-SPI)。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。 上电复位(POR)、掉电复位(PDR)、可编程电压检测器(PVD)和欠压复位(BOR)

品牌

ST

封装

LQFP-64(10x10)

库存

307

货期

现货

STM32F730R8T6参数

封装LQFP-64(10x10)
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类单片机(MCU/MPU/SOC)
库存307

STM32F730R8T6概述

特性:核心:带有浮点单元(FPU)、自适应实时加速器(ART Accelerator™)和L1缓存的32位Arm® Cortex®-M7 CPU, 8KB数据缓存和8KB指令缓存, 允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行, 频率高达216MHz, 具备内存保护单元(MPU), 462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 64KB闪存, 具备保护机制(读写保护、专有代码读出保护(PCROP))。 528字节一次性可编程(OTP)内存。 SRAM:256KB(包括64KB用于关键实时数据的数据紧耦合内存(TCM)RAM)+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM(在最低功耗模式下可用)。 灵活的外部内存控制器, 具有高达32位数据总线, 支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND内存。 双模式四路串行外设接口(Quad-SPI)。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。 上电复位(POR)、掉电复位(PDR)、可编程电压检测器(PVD)和欠压复位(BOR)

STM32F730R8T6特性

暂无产品特性。

STM32F730R8T6应用领域

暂无应用领域。

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