STM32F413VHT6
IC
LQFP-100(14x14)
可供量大可议
STM32F413VHT6
特性：动态效率线， 具备增强批量采集模式 (eBAM)。 1.7 V 至 3.6 V 电源。 40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。 内核：带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU， 自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行， 频率高达 100 MHz， 具备内存保护单元， 125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)， 支持 DSP 指令。 高达 1.5 Mbytes 的闪存。 320 Kbytes 的 SRAM。 灵活的外部静态内存控制器， 具有高达 16 位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR 闪存。 双模式 Quad-SPI 接口
品牌
ST
封装
LQFP-100(14x14)
库存
10
货期
现货
STM32F413VHT6参数
| 封装 | LQFP-100(14x14) |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
STM32F413VHT6概述
特性：动态效率线， 具备增强批量采集模式 (eBAM)。 1.7 V 至 3.6 V 电源。 40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。 内核：带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU， 自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行， 频率高达 100 MHz， 具备内存保护单元， 125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)， 支持 DSP 指令。 高达 1.5 Mbytes 的闪存。 320 Kbytes 的 SRAM。 灵活的外部静态内存控制器， 具有高达 16 位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR 闪存。 双模式 Quad-SPI 接口
STM32F413VHT6特性
暂无产品特性。
STM32F413VHT6应用领域
暂无应用领域。