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STM32F411E-DISCO
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可供量大可议

STM32F411E-DISCO

特性:动态效率线, 具备批量采集模式(BAM)。 电源电压:1.7 V至3.6 V。 温度范围:-40°C至85/105/125°C。 内核:配备浮点单元(FPU)的32位Arm Cortex M4 CPU, 自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)可实现从闪存零等待状态执行, 频率高达100 MHz, 具备内存保护单元, 性能达125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1), 支持DSP指令。 内存:高达512 Kbytes闪存, 128 Kbytes SRAM。

品牌

ST

封装

库存

3

货期

现货

STM32F411E-DISCO参数

分类单片机(MCU/MPU/SOC)
库存3
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1

STM32F411E-DISCO概述

特性:动态效率线, 具备批量采集模式(BAM)。 电源电压:1.7 V至3.6 V。 温度范围:-40°C至85/105/125°C。 内核:配备浮点单元(FPU)的32位Arm Cortex M4 CPU, 自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)可实现从闪存零等待状态执行, 频率高达100 MHz, 具备内存保护单元, 性能达125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1), 支持DSP指令。 内存:高达512 Kbytes闪存, 128 Kbytes SRAM。

STM32F411E-DISCO特性

暂无产品特性。

STM32F411E-DISCO应用领域

暂无应用领域。

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