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STM32F303RCT6TR
IC

LQFP-64(10x10)

可供量大可议

STM32F303RCT6TR

特性:核心:基于 Arm Cortex-M4 32 位 CPU 并配备 FPU(最高 72 MHz), 支持单周期乘法和硬件除法, 90 DMIPS(来自 CCM), 具备 DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDA 电压范围为 2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 KB 的闪存; 高达 40 KB 的 SRAM, 前 16 KB 实现硬件奇偶校验; 8 KB 的 SRAM 用于指令和数据总线, 具备硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR); 可编程电压检测器(PVD); 低功耗模式:睡眠、停止和待机; 为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器; 用于 RTC 的 32kHz 振荡器, 可校准; 内部 8 MHz RC, 有 ×16 PLL 选项; 内部 40kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有引脚可映射到外部中断向量, 部分支持 5V 容忍。 互连矩阵

品牌

ST

封装

LQFP-64(10x10)

库存

20

货期

现货

STM32F303RCT6TR参数

封装LQFP-64(10x10)
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类单片机(MCU/MPU/SOC)
库存20

STM32F303RCT6TR概述

特性:核心:基于 Arm Cortex-M4 32 位 CPU 并配备 FPU(最高 72 MHz), 支持单周期乘法和硬件除法, 90 DMIPS(来自 CCM), 具备 DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDA 电压范围为 2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 KB 的闪存; 高达 40 KB 的 SRAM, 前 16 KB 实现硬件奇偶校验; 8 KB 的 SRAM 用于指令和数据总线, 具备硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR); 可编程电压检测器(PVD); 低功耗模式:睡眠、停止和待机; 为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器; 用于 RTC 的 32kHz 振荡器, 可校准; 内部 8 MHz RC, 有 ×16 PLL 选项; 内部 40kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有引脚可映射到外部中断向量, 部分支持 5V 容忍。 互连矩阵

STM32F303RCT6TR特性

暂无产品特性。

STM32F303RCT6TR应用领域

暂无应用领域。

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