LQFP-64(10x10)
STM32F303RCT6
特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz), 单周期乘法和硬件除法, 90 DMIPS(来自 CCM), DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存; 高达 40 Kbytes 的 SRAM, 前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验; 8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上, 带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR); 可编程电压检测器(PVD); 低功耗模式:睡眠、停止和待机; RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器; 用于 RTC 的 32 kHz 振荡器, 带校准; 内部 8 MHz RC, 有 x 16 PLL 选项; 内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量; 多个 5V 耐压。 互连矩阵
品牌
ST
封装
LQFP-64(10x10)
库存
624
货期
现货
STM32F303RCT6参数
| 封装 | LQFP-64(10x10) |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 624 |
STM32F303RCT6概述
特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz), 单周期乘法和硬件除法, 90 DMIPS(来自 CCM), DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存; 高达 40 Kbytes 的 SRAM, 前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验; 8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上, 带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR); 可编程电压检测器(PVD); 低功耗模式:睡眠、停止和待机; RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器; 用于 RTC 的 32 kHz 振荡器, 带校准; 内部 8 MHz RC, 有 x 16 PLL 选项; 内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量; 多个 5V 耐压。 互连矩阵
STM32F303RCT6特性
暂无产品特性。
STM32F303RCT6应用领域
暂无应用领域。
