LQFP-100(14x14)
STM32F205VCT6
特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU(最高120 MHz), 带自适应实时加速器(ART Accelerator), 可实现闪存零等待状态执行性能, 具备MPU, 150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达1 Mbyte闪存; 512字节OTP存储器; 高达128 + 4 Kbytes SRAM; 灵活的静态存储器控制器, 支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器; LCD并行接口, 8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.8至3.6 V应用电源 + I/O; POR、PDR、PVD和BOR; 4至26 MHz晶体振荡器; 内部16 MHz工厂校准RC; 32 kHz RTC振荡器, 带校准; 内部32 kHz RC, 带校准。 低功耗模式:睡眠、停止和待机模式; VBAT为RTC、20×32位备份寄存器和可选4 KB备份SRAM供电。 3个12位、0.5 μs ADC, 多达24个通道, 三重交错模式下高达6 MSPS。 2个12位D/A转换器
品牌
ST
封装
LQFP-100(14x14)
库存
285
货期
现货
STM32F205VCT6参数
| 封装 | LQFP-100(14x14) |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 285 |
STM32F205VCT6概述
特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU(最高120 MHz), 带自适应实时加速器(ART Accelerator), 可实现闪存零等待状态执行性能, 具备MPU, 150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达1 Mbyte闪存; 512字节OTP存储器; 高达128 + 4 Kbytes SRAM; 灵活的静态存储器控制器, 支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器; LCD并行接口, 8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.8至3.6 V应用电源 + I/O; POR、PDR、PVD和BOR; 4至26 MHz晶体振荡器; 内部16 MHz工厂校准RC; 32 kHz RTC振荡器, 带校准; 内部32 kHz RC, 带校准。 低功耗模式:睡眠、停止和待机模式; VBAT为RTC、20×32位备份寄存器和可选4 KB备份SRAM供电。 3个12位、0.5 μs ADC, 多达24个通道, 三重交错模式下高达6 MSPS。 2个12位D/A转换器
STM32F205VCT6特性
暂无产品特性。
STM32F205VCT6应用领域
暂无应用领域。
