LQFP-64(10x10)
STM32F103RDT6
特性：核心：ARM 32位Cortex™-M3 CPU， 最高频率72 MHz， 在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）， 单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存， 高达64 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器， 带有4个片选， 支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口， 8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O， POR、PDR和可编程电压检测器（PVD）， 4至16 MHz晶体振荡器， 内部8 MHz工厂校准RC， 内部40 kHz带校准的RC， 32 kHz带校准的RTC振荡器。 睡眠、停止和待机模式， VBAT为RTC和备份寄存器供电
品牌
ST
封装
LQFP-64(10x10)
库存
661
货期
现货
STM32F103RDT6参数
| 封装 | LQFP-64(10x10) |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 661 |
STM32F103RDT6概述
特性：核心：ARM 32位Cortex™-M3 CPU， 最高频率72 MHz， 在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）， 单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存， 高达64 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器， 带有4个片选， 支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口， 8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O， POR、PDR和可编程电压检测器（PVD）， 4至16 MHz晶体振荡器， 内部8 MHz工厂校准RC， 内部40 kHz带校准的RC， 32 kHz带校准的RTC振荡器。 睡眠、停止和待机模式， VBAT为RTC和备份寄存器供电
STM32F103RDT6特性
暂无产品特性。
STM32F103RDT6应用领域
暂无应用领域。