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STM32F103RCT6TR
IC

LQFP-64(10x10)

可供量大可议

STM32F103RCT6TR

特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU, 最高频率72 MHz, 在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1), 单周期乘法和硬件除法。 存储器:256至512 Kbytes的闪存, 高达64 Kbytes的SRAM, 具有4个片选的灵活静态存储器控制器, 支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器, LCD并行接口, 8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O, POR、PDR和可编程电压检测器(PVD), 4至16 MHz晶体振荡器, 内部8 MHz工厂校准RC, 内部40 kHz RC带校准, 32 kHz振荡器用于RTC带校准。 低功耗:睡眠、停止和待机模式, V_BAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器(最多21个通道), 转换范围:0至3.6 V, 三重采样和保持能力, 温度传感器, 2个12位D/A转换器。 DMA:12通道DMA控制器, 支持的外设:定时器、ADC、DAC、SDIO、I²Ss、SPIs、I²C和USART

品牌

ST

封装

LQFP-64(10x10)

库存

2,935

货期

现货

STM32F103RCT6TR参数

封装LQFP-64(10x10)
品牌ST(意法半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类单片机(MCU/MPU/SOC)
库存2935

STM32F103RCT6TR概述

特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU, 最高频率72 MHz, 在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1), 单周期乘法和硬件除法。 存储器:256至512 Kbytes的闪存, 高达64 Kbytes的SRAM, 具有4个片选的灵活静态存储器控制器, 支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器, LCD并行接口, 8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O, POR、PDR和可编程电压检测器(PVD), 4至16 MHz晶体振荡器, 内部8 MHz工厂校准RC, 内部40 kHz RC带校准, 32 kHz振荡器用于RTC带校准。 低功耗:睡眠、停止和待机模式, V_BAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器(最多21个通道), 转换范围:0至3.6 V, 三重采样和保持能力, 温度传感器, 2个12位D/A转换器。 DMA:12通道DMA控制器, 支持的外设:定时器、ADC、DAC、SDIO、I²Ss、SPIs、I²C和USART

STM32F103RCT6TR特性

暂无产品特性。

STM32F103RCT6TR应用领域

暂无应用领域。

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