TFBGA-64
STM32F103R8H7
特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核， 最高频率 72 MHz， 在 0 等待状态内存访问时， 性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）， 支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O， POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD）， 4 至 16 MHz 晶体振荡器， 内部 8 MHz 工厂校准 RC， 内部 40 kHz RC， 用于 CPU 时钟的 PLL， 带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。 低功耗睡眠、停止和待机模式， VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道）， 转换范围：0 至 3.6 V， 双采样和保持能力， 温度传感器。 7 通道 DMA 控制器， 支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs
品牌
ST
封装
TFBGA-64
库存
11
货期
现货
STM32F103R8H7参数
| 封装 | TFBGA-64 |
|---|---|
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 单片机(MCU/MPU/SOC) |
|---|---|
| 库存 | 11 |
STM32F103R8H7概述
特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核， 最高频率 72 MHz， 在 0 等待状态内存访问时， 性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）， 支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。 时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O， POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD）， 4 至 16 MHz 晶体振荡器， 内部 8 MHz 工厂校准 RC， 内部 40 kHz RC， 用于 CPU 时钟的 PLL， 带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。 低功耗睡眠、停止和待机模式， VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道）， 转换范围：0 至 3.6 V， 双采样和保持能力， 温度传感器。 7 通道 DMA 控制器， 支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs
STM32F103R8H7特性
暂无产品特性。
STM32F103R8H7应用领域
暂无应用领域。